導 讀 上個月有報道稱，長江存儲（YMTC）已經(jīng)開始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個有源層。長江存儲已經(jīng)成功地將密度提高到行業(yè)相同的水平，實現(xiàn)了最高的垂直柵密度，也是現(xiàn)階...

上個月有報道稱，長江存儲（YMTC）已經(jīng)開始出貨第五代3D TLC NAND閃存，共有294層，以及232個有源層。長江存儲已經(jīng)成功地將密度提高到行業(yè)相同的水平，實現(xiàn)了最高的垂直柵密度，也是現(xiàn)階段商業(yè)產(chǎn)品中最高的，使其成為了全球NAND閃存市場的有力競爭者。

傳三星將采用長江存儲專利混合鍵合技術(shù)

據(jù)TrendForce報道，三星將從第10代V-NAND閃存開始，采用長江存儲的專利混合鍵合技術(shù)。三星的目標是在2025年下半年開始量產(chǎn)第10代V-NAND閃存，預計總層數(shù)達到420層至430層。此外，傳聞SK海力士也正在與長江存儲進行專利協(xié)議的談判。

大概在四年前，長江存儲率先將名為“晶棧（Xtacking）架構(gòu)”的混合鍵合技術(shù)應(yīng)用于3D NAND閃存，隨后逐步建立了強大的專利組合。三星在之前的NAND閃存里采用了COP（Cell-on-Periphery）結(jié)構(gòu)，將外圍電路放在一塊晶圓上，然后單元堆疊在上面，不過當層數(shù)超過400層時，下層外圍電路的壓力會影響可靠性。改用混合鍵合技術(shù)后，消除了對凸塊的需求，縮短了電路，從而提高了性能和散熱性。

據(jù)了解，目前Xperi、長江存儲、以及臺積電（TSMC）擁有大多數(shù)混合鍵合技術(shù)的專利。三星之所以選擇與長江存儲合作，很大程度上是因為接下來的第11代和第12代V-NAND閃存都很難繞過后者的專利。