三星2nm工藝良品率持續(xù)提升 目前已超過(guò)40%

此前有報(bào)道稱，三星在2nm（SF2）工藝的測(cè)試生產(chǎn)中實(shí)現(xiàn)了高于預(yù)期的初始良品率，達(dá)到30%以上。三星計(jì)劃在2025年第四季度量產(chǎn)2nm工藝，為Exynos 2600的大規(guī)模生產(chǎn)做好準(zhǔn)備。

近日三星2nm工藝開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)取得了令人滿意的實(shí)驗(yàn)性生產(chǎn)里程碑，開(kāi)發(fā)當(dāng)中的2nm工藝在良品率方面的表現(xiàn)比之前的3nm工藝要更好，2nm工藝的良品率已經(jīng)提升到40%以上。按照目前的推進(jìn)速度，有可能剛好趕上Exynos 2600的量產(chǎn)。

雖然三星在2nm工藝上有了不錯(cuò)的進(jìn)展，但是這種表現(xiàn)并不足夠令人滿意。競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電（TSMC）在去年12月對(duì)2nm工藝的試產(chǎn)當(dāng)中，良品率就已超過(guò)60%，傳聞現(xiàn)在已提升至70%至80%，接近于量產(chǎn)的水平。

SF2集成了三星第三代GAA（Gate-All-Around）架構(gòu)晶體管技術(shù)，相比于SF3（3nm），性能提高了12%，功率效率提高了25%，芯片面積減少了5%。三星還打算在2nm制程節(jié)點(diǎn)上引入“BSPDN（背面供電網(wǎng)絡(luò)）”技術(shù)，將電源軌置于晶圓的背面，以消除電源線和信號(hào)線之間的瓶頸，解決FSPDN（前端供電網(wǎng)絡(luò)）造成的前端布線堵塞問(wèn)題，進(jìn)一步提升性能和能效，并縮小芯片面積。